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深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司

10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产

10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产 10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产
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深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司

经营模式: 生产加工,职能机构或其他

所在地区: 广东省深圳市

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产品介绍

该高速10Gbps光电二极管芯片是InGaAs PIN结构,其特点是:高响应度(1310nm典型值:1.04A/W1550nm典型值:1.12A/W),低电容(典型值:0.17pF),低暗电流(典型值:0.05nA);45μm的光敏面正面入光,且GSG焊盘处于共面便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通信10Gbps接收器件中。


产品特点

l; Φ45μm光敏面正面入光

l; 低电容和低暗电流

l; 高响应度

l; GSC结构

l; 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求

l; 速率达到10Gbps

l; 100%测试和外观检测


应用领域

l; 8G 光纤通道

l; 10G以太网

l; 10Gbps同步光纤网/同步数字系列


芯片级光电参数(Tc=22±3℃,除非特别说明)

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

测试条件

响应度

Re

0.95

1.04


A/W

VR=1.0V, λ=1310nm Pin=0.5mW

1.05

1.12


VR=1.0V, λ=1550nm Pin=0.5mW

暗电流

Id


0.05

0.5

nA

VR=5.0V



20

VR=5.0V

Top=95±3

带宽

BW

9

10


GHz

λ=1550nm, -3dBm,VR=2.0V,

;RL=50Ω, Pin= 0.5mW

反向击穿电压

VBR

30



V

IR=10μA

电容

Cj


0.17

0.2

pF

f=1MHz, VR=2.0V


极限额定参数

参数

符号

最小值

最大值

条件

单位

正向电流

IF


10


mA

正向电压

UF


1.5


V

反向电压

UR


25


V

饱和光功率

Pmax


10


dBm

贮存温度

Tstg

-45

125


存储湿度;(无冷凝)



85


% r.h.

焊接工艺温度

TSO


320

60s

工艺温度

Tp


150

24h


外观尺寸


最小值

典型值

最大值

单位

光敏区


φ45


um

Signal焊盘


φ75


um

Ground焊盘


75x75


um

340

350

360

um

宽度

290

300

310

um

厚度

140

150

160

um


使用注意事项

l; 采取必要的ESD防护措施,以避免芯片被静电损伤。

l; 由于InP基的芯片易碎,取用时要十分小心。请勿使用镊子,推荐用真空吸附方式。

l; 压焊力度、温度等参数需小心设置,以避免损坏芯片。

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