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深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司

10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产

10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产 10Gbps InGaAs PIN光电二极管芯片批产
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深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司

经营模式: 生产加工,职能机构或其他

所在地区: 广东省深圳市

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产品介绍

该高速10Gbps光电二极管芯片是InGaAs PIN结构,其特点是:高响应度(1310nm典型值:1.04A/W1550nm典型值:1.12A/W),低电容(典型值:0.18pF),低暗电流(典型值:0.05nA);50μm的光敏面正面入光,且PN焊盘处于共面便于TO-CAN封装的焊线。主要应用于光纤通信10Gbps接收器件中。


产品特点

l; Φ50μm光敏面正面入光

l; 低电容

l; 高响应度

l; 低暗电流

l; 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求

l; 速率达到10Gbps

l; 100%测试和外观检测


应用领域

l; 长距离光网络

l; 10G以太网

l; 光纤数据通信

l; 波分复用、异步传输模式


芯片级光电参数(Tc=22±3℃,除非特别说明)

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

测试条件

响应度

Re

0.95

1.04


A/W

VR=1.0V, λ=1310nm Pin=0.5mW

1.05

1.12


VR=1.0V, λ=1550nm Pin=0.5mW

暗电流

Id


0.05

0.5

nA

VR=5.0V



20

VR=5.0V, Top=95±3

带宽

BW

9

10


GHz

λ=1550nm, -3dBm,VR=2.0V,

;RL=50Ω, Pin= 0.5mW

反向击穿电压

VBR

30



V

IR=10μA

正向电压

VF



0.75

V

If=1mA

电容

Cj


0.18

0.25

pF

VR=2.0V, f=1MHz


极限额定参数

参数

符号

最小值

最大值

单位

正向电流

IF


10

mA

反向电流

IR


10

mA

饱和光功率

Pin


10

mW

贮存温度

Tstg

-45

125

工作温度

Top

-40

85


外观尺寸


最小值

典型值

最大值

单位

光敏区


50


um

焊盘


70


um

240

250

260

um

宽度

240

250

260

um

厚度

110

120

130

um


使用注意事项

l; 采取必要的ESD防护措施,以避免芯片被静电损伤。

l; 由于InP基的芯片易碎,取用时要十分小心。请勿使用镊子,推荐用真空吸附方式。

l; 压焊力度、温度等参数需小心设置,以避免损坏芯片。

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