InGaAs 监视光电二极管芯片（φ300μm）批产
| 价格 | 商议 |
| 计量单位 | 片 |
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产品介绍
该正面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光电二极管，为平面结构，阳极在正面，阴极在背面，光敏区直径达到300um，在980nm到1620nm波段范围内有很高的响应度(1310nm典型值：1.02A/W，1550nm典型值：1.1A/W)，主要用于各种LD的后向光功率监测。
产品特点
l; 基于n+ InP 衬底的平面结构
l; 300um的光探测窗口
l; 高响应度
l; 低暗电流
l; 低工作电压
l; -40℃到85℃的工作范围
l; 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
l; 100%测试和外观检测
l; 客户化的芯片尺寸
应用领域
l; LD后向光功率监测
芯片级光电参数（Tc=22±3℃，除非特别说明）
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应度 | Re | 0.9 | 1.02 | A/W | VR=5.0V, λ=1310nm Pin=0.5mW | |
1.0 | 1.1 | VR=5.0V, λ=1550nm Pin=0.5mW | ||||
暗电流 | Id | 0.3 | 1 | nA | VR=5V | |
25 | VR=5V, Top=85±3℃ | |||||
反向击穿电压 | VBR | 30 | V | IR=10μA | ||
电容 | Cj | 3 | 5 | pF | VR=5V, f=1MHz |
极限额定参数
参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
反向电压 | VR | 30 | V | |
饱和光功率 | Pmax | 10 | mW | |
正向电流 | IF | 10 | mA | |
反向电流 | IR | 5 | mA | |
贮存温度 | Tstg | -45 | 125 | ℃ |
工作温度 | Top | -40 | 85 | ℃ |
外观尺寸
最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
光敏区 | 300 | um | ||
焊盘 | 80 | um | ||
长 | 440 | 450 | 460 | um |
宽度 | 440 | 450 | 460 | um |
厚度 | 130 | 150 | 170 | um |
使用注意事项
l; 采取必要的ESD防护措施，以避免芯片被静电损伤。
l; 由于InP基的芯片易碎，取用时要十分小心。请勿使用镊子，推荐用真空吸附方式。
l; 压焊力度、温度等参数需小心设置，以避免损坏芯片。
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