InGaAs 监视光电二极管芯片(φ1000μm)批产
价格 | 商议 |
计量单位 | 片 |
产品介绍
该正面入光的InGaAs PIN监测光电二极管,是平面结构,阳极在正面,阴极在背面。光探测窗口达到1000um,在980nm到1620nm波段范围内具有高响应度(1310nm典型值:1.0A/W,1550nm典型值:1.1A/W),主要用于各种LD的后向光功率监测和其他的监测。
产品特点
l; 基于n+ InP 衬底的平面结构
l; 1000um的光探测窗口
l; 高响应度
l; 低暗电流
l; 低工作电压
l; -40℃到85℃的工作范围
l; 高可靠性:本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
l; 100%测试和外观检测
l; 客户化的芯片尺寸
应用领域
l; LD后向光功率监测
芯片级光电参数(Tc=22±3℃,除非特别说明)
参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
响应度 | Re | 0.9 | 1.0 | A/W | VR=5.0V, λ=1310nm, Pin=0.5mW | |
1.0 | 1.1 | VR=5.0V, λ=1550nm, Pin=0.5mW | ||||
响应度随温度变化 | %/℃ | 0.03 | VR=5.0V,;λ=1550nm -10℃~85℃ | |||
响应度随光强变化 | % | -5 | 5 | % | VR=5.0V, 0.001~5mW | |
响应度随波长变化 | % | -5 | 5 | % | VR=5.0V, λ=1525~1606nm | |
暗电流 | Id | 0.5 | 1.0 | nA | VR=5.0V | |
20 | 100 | VR=5.0V, Top=85℃ | ||||
反向击穿电压 | VBR | 20 | V | IR=10μA | ||
电容 | Cj | 35 | 50 | pF | VR=5.0V, f=1MHz |
极限额定参数
参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
反向电压 | VR | 20 | V | |
饱和光功率 | Pmax | 10 | mW | |
正向电流 | IF | 10 | mA | |
反向电流 | IR | 2 | mA | |
贮存温度 | Tstg | -45 | 125 | ℃ |
工作温度 | Top | -40 | 85 | ℃ |
外观尺寸
最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
光敏区 | 1000 | um | ||
焊盘 | 150 | um | ||
长 | 1140 | 1150 | 1160 | um |
宽度 | 1140 | 1150 | 1160 | um |
厚度 | 190 | 200 | 210 | um |
使用注意事项
l; 采取必要的ESD防护措施,以避免芯片被静电损伤。
l; 由于InP基的芯片易碎,取用时要十分小心。请勿使用镊子,推荐用真空吸附方式。
l; 压焊力度、温度等参数需小心设置,以避免损坏芯片。
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