北京肯瑟高分子技术有限公司
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所在地区: 北京北京市
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管) 和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,用在电压几十到几百伏上千伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。(相对而言,手机、电脑电路板上跑的电压低,以传输信号为主,都属于弱电。)
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